MNOSFET

MNOSFET: MNỌSFET

[Abkürzung von englisch metal nitride oxide semiconductor field effect transistor, »Metall-Nitrid-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor«], ein Feldeffekttransistor in MIS-Technik (MISFET) mit Speichereigenschaften; seine Bezeichnung beruht auf der Isolierung der Gate-Elektrode durch eine Siliciumnitrid-Siliciumoxid-Doppelschicht. Durch entsprechende Spannungsimpulse am Gate können Ladungen in die Grenzfläche zwischen den beiden Isolierschichten eingebracht beziehungsweise aus ihr entfernt werden. Da eine Ladung zwischen den Isolierschichten die Kanalbildung beeinflusst, kann durch sie der Kanalzustand ohne Spannungsversorgung sehr lange (bis zu einigen Jahren) erhalten werden. Auf der hierdurch verursachten Veränderung der Schwellenspannung beruht die Eignung des MNOSFET als Speicherelement (EEPROM). In Verbindung mit CCD-Strukturen gewinnt der MNOSFET zunehmend an Bedeutung für die analoge Signalverarbeitung (z. B. programmierbare Filter, Fourier-Transformation).

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